30.05.2024
IXFN64N50P
Характеристики IXFN64N50P
-
СерияPolarHV™
-
ПроизводительIXYS
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 32A, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C61A
-
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs150nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8700pF @ 25V
-
Power - Max700W
-
Исполнение / КорпусSOT-227, miniBLOC
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
29.05.2024
28.05.2024